Z-NAND-Speicher für KI, Big Data und IoT
Samsung präsentiert Enterprise-SSD mit 800 GByte
von
Stefan
Bordel - 30.01.2018
Foto: Samsung
Samsung bringt seine neue Z-NAND-Technologie mit einer hochperformanten Enterprise-SSD in Stellung. Die SZ985 verspricht Vorteile bei HPC-Workloads rund um KI, Big Data und das IoT.
SZ985: Die neue Samsung-SSD soll Intels-Optane-Speichern Paroli bieten.
(Quelle: Samsung)
Nachdem Intel mit seinen Optane-SSDs die Performance-Messlatte ein gutes Stück hoch gelegt hat, präsentiert nun auch Samsung neue hochperformante Speicherlösungen für den professionellen Einsatz. Die neue SZ985 SSD mit Z-NAND-Technologie bietet eine Kapazität von 800 GByte und soll sich speziell für die Anforderungen von High Performance Computing in Rechenzentren und Forschungsanalgen eigenen. Als mögliche Anwendungsfälle für den Speicher nennen die Koreaner unter anderem High Capacity Caching, NoSQL-Datenbanken und Business Analytics.
Die SSD im HHHL-Formfaktor ist mit vier PCIe-3.0-Lanes angebunden und besitzt einen eigens für den Z-NAND entwickelten Hochleistungs-Controller, dem 1,5 GByte DRAM zur Seite stehen.
Laut dem von Samsung veröffentlichten Datenblatt erreicht die PCIe-SSD Transferraten von 3,2 GByte/s beim sequentiellen Lesen und Schreiben. Allerdings sind sequenzielle Transferraten in Rechenzentren nur begrenzt von Bedeutung. Für das wahlfreie Lesen gibt der Hersteller 750.000 IOPS an, beim Schreiben werden 170.000 IOPS genannt. Die Schreiblatenz fällt indessen mit einem Wert von 16 μs etwa 5,5 Mal geringeren aus als bei herkömmlichen NVMe SSDs. Für die Haltbarkeit des Speichers sprechen 30 DWPD (Drive Writes per Day) auf fünf Jahre beziehungsweise 42 PByte total sowie eine MTBF (Mean Time Between Failures) von 2 Millionen Stunden.
Enterprise-SSDs: Samsung vs. Intel
Im direkten Vergleich zu Intels Optane-SSDs zeigt sich der Samsung-Speicher damit speziell beim sequentiellen Lesen und Schreiben performanter. Intel gibt für das Modell DC P4800X 2,5 GByte/s beim Lesen und 2,2 GByte/s beim Schreiben an. Bei den IOPS-Werten ist der Intel-Speicher mit 550.000 IOPS lesend sowie schreibend in der Summe etwas leistungsfähiger als die neue Samsung-SSD.
Offiziell wird die SZ985-SSD in Versionen mit 800 und 240 GByte zusammen mit zugehörigen Technologien auf der International Solid-State Circuits Conference 2018 (ISSCC) in San Francisco vorgestellt, die vom 11. bis 15. Februar stattfindet.
