3D XPoint ist 1.000-mal schneller als Flash-Speicher

1989 wurde erstmals nichtflüchtiger Flash-Speicher vorgestellt. Der in NAND-Technik gefertigte Non Volatile Memory (NVM), der heute beispielsweise in USB-Sticks, Speicherkarten und SSDs zum Einsatz kommt, entpuppte sich als kleine Revolution der Halbleiterbranche. Mehr als 25 Jahre später präsentierten Intel und Micron gestern in einem Live-Webcast die nächste Revolution: 3D Xpoint soll die Vorteile nichtflüchtiger Speicher mit den Vorteilen von flüchtigem DRAM-Speicher vereinen.

Die neue Speichertechnik für Server und Storage-Systeme arbeite bis zu 1.000-mal schneller als heutiger, nichtflüchtiger Flash-Speicher und sei zudem deutlich haltbarer, da sich die Speicherzellen 1.000-mal häufiger überschreiben lassen als aktuelle NAND-Flash-Zellen. Verglichen mit flüchtigem DRAM-Speicher, der beispielsweise im PC als Arbeitsspeicher zum Einsatz kommt, ist 3D Xpoint zwar langsamer, erreicht aber eine bis zu zehnmal so hohe Speicherdichte.

Wie revolutionär der Geschwindigkeitsgewinn der neuen Technik ist, zeigt ein kurzer Vergleich: Würden die Ingenieure von Boing und Airbus einen ähnlichen Geschwindigkeitsvorteil erringen, dann würde ein Flug von San Francisco nach Peking nicht mehr 12 Stunden, sondern nur noch 43 Sekunden dauern.

Erste im 20-nm-Verfahren gefertigte 3D-XPoint-Speicherchips mit einer Kapazität von 16 GByte wollen Intel und Micron noch in diesem Jahr in als Musterstücke an ihre Partner ausliefern. Konkrete Speichermedien mit 3D XPoint haben die beiden Entwicklungspartner bislang aber noch nicht angekündigt.