Speicher-Timings anpassen

Die Option "System Performance" – auch "Configure DRAM Timing" oder "Memory Timings" genannt – steht in der Regel auf "By SPD". Bei dieser Einstellung verwendet der Computer die Timing-Werte des Herstellers. Wer die Leistung seines Systems gehörig beschleunigen möchte, sollte – sofern vorhanden – die Einstellung "Disabled" oder "Manual" wählen und die Parameter selbst einstellen, wie in den folgenden Abschnitten beschrieben.

Arbeitsspeicher stellt man sich am besten wie eine Excel-Tabelle vor. Sie benötigen zuerst eine Angabe der Zeile (RAS) und dann eine Angabe der Spalte (CAS), um eine Speicherzelle zu definieren, deren Inhalt Sie auslesen wollen. Zwischen dem Signal RAS und dem Signal CAS vergeht eine einstellbare Zeit, um sicherzustellen, dass der Speicher mitkommt. Verkürzen Sie diese Verzögerung, um Zeit zu gewinnen und den Speicher zu beschleunigen. Mit der Option "SDRAM RAS to CAS Delay" legen Sie fest, wie viele Taktzyklen zwischen dem Senden des RAS- und des CAS-Signals vergehen sollen. Mögliche Werte sind "2" bis "5", wobei "2" die schnellste Einstellung ist. Senken Sie schrittweise den Wert und testen Sie die Stabilität. Je besser der Speicher, desto kleiner darf der Wert sein.

Wenn die CPU auf den Arbeitsspeicher zugreift, gibt sie zunächst die Adresse der Speicherzelle mit den gewünschten Daten an. Die Zeit, die vergeht, bis der Speicher die Daten liefert, heißt Latenzzeit. Ein Wert von 2T bedeutet, dass die Lieferung nach zwei Taktzyklen eintrifft. Bei 3T vergehen drei Taktzyklen. Ein geringerer Wert für "SDRAM CAS Latency" bedeutet mehr Leistung, ein höherer Wert weniger Leistung. Den korrekten und sicheren Wert für "SDRAM CAS Latency" entnehmen Sie dem Aufkleber auf dem Speicherbaustein. Typische Werte sind bei preisgünstigem Speicher "3T" oder "2.5T". Verwenden Sie versuchsweise "2.5T" oder gar "2T" und prüfen Sie das System auf Stabilität. Einige Hersteller weisen darauf hin, dass 2T-fähiger Speicher meist auch mit höheren Taktraten zurechtkommt. Bei Erfolg versuchen Sie, die Taktfrequenz des Speichers über "Memory Frequency" zu erhöhen. Achtung: Nehmen Sie jeweils nur eine Änderung vor, booten Sie dann neu und prüfen Sie den Effekt mit einem Benchmark-Programm.

Je kleiner der Wert des RAS Precharge Delay, desto schneller springt der Speicher beim Lesen von einer Zeile zur nächsten. Mit der Option "SDRAM RAS Precharge Delay" stellen Sie die Zahl der Taktzyklen ein, die bei Wechsel des RAS-Werts vergehen. Niedrige Werte wie "4" bedeuten mehr Tempo als hohe Werte. Höhere Werte sind jedoch stabiler. Senken Sie den Wert schrittweise und prüfen Sie nach jeder Änderung die Stabilität.

Neuzugriffe auf den Speicher erfolgen um so schneller, je kleiner der Wert des Active Precharge Delays ist. Das erhöht die Speicherleistung.  Mit der Option "SDRAM Active Precharge Delay" lässt sich die Anzahl der für einen SDRAM-Zugriff erforderlichen Taktzyklen regeln. Faustregel: Active Precharge Delay = CAS-Latency + RAS Precharge Delay + 2 zur Sicherheit. Verringern Sie den Wert in Schritten von "1", um zu testen, ob noch schnellere Werte möglich sind – das ist häufig der Fall. Erhöhen Sie den Wert um "1", um an Stabilität zu gewinnen, falls es zu Problemen kommt.